描述
TIP42C是采用TO-220塑料封装的基础岛技术PNP功率晶体管，使该器件适用于音频，功率线性和开关应用。互补的PNP类型为TIP41C。
规格参数
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产品型号 |
TIP42C |
| 描述 | TRANS PNP 100V 6A TO-220 |
| 分类 | 分立半导体产品，晶体管-双极(BJT)-单 |
| 制造商 | 安森美半导体 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 基本零件号 | TIP42 |
| 无铅状态 | 无铅 |
| 符合欧盟RoHS | 是 |
| 符合中国RoHS | 是 |
| 集电极最大电流(IC) | 6.0安 |
| 集电极-发射极电压最大值 | 100.0伏 |
| 组态 | 单 |
| 直流电流最小增益(hFE) | 15.0 |
| JEDEC-95代码 | TO-220AB |
| JESD-30代码 | R-PSFM-T3 |
| 元素数 | 1.0 |
| 端子数 | 3 |
| 最高工作温度 | 150℃ |
| 包装主体材料 | 塑料/环氧树脂 |
| 包装形状 | RECTANGULAR |
| 包装形式 | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度(℃) | 未标明 |
| 极性/通道类型 | PNP |
| 最大功耗(Abs) | 65.0瓦 |
| 资格状态 | 不合格 |
| 子类别 | 其他晶体管 |
| 表面贴装 | 没有 |
| 终端表格 | 贯穿孔 |
| 终端位置 | 单 |
| 时间@峰值回流温度最大值(秒) | 未标明 |
| 晶体管应用 | 交换 |
| 晶体管元件材料 | 硅 |
| 过渡频率标称(fT) | 3.0兆赫 |
| 附加功能 | 可以选择主要形式 |
| 水分敏感性水平(MSL) | 1(无限制) |
| 制造商包装说明 | 塑料，外壳221A-09，3针 |
特点
互补的PNP-NPN装置
高切换速度
新增强系列
h FE改善了线性
h FE分组
应用领域
通用电路
音频放大器
电源线性和开关
电路图
引脚功能说明
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引脚号 |
引脚名称 |
| 1 | 基集 |
| 2 | 集电极 |
| 3 | 发射极 |
替代型号
D880，D633，C2073，2N3733，C2335，BD712，BD912，BDT42C，BDT42CF，MJE5170，MJE5171，MJE5172，TIP42CF或TIP42CG
工作原理
晶体三极管(以下简称三极管)按材料分有两种：锗管和硅管。而每一种又有 NPN 和 PNP 两种结构形式，但使用最多的是硅 NPN 和锗 PNP 两种三极管，(其中，N 是负极的意思(代表英文中 Negative)，N 型半导体在高纯度硅中加入磷取代一些硅原子，在电压刺激下产生自由电子导电，而 P 是正极的意思(Positive)是加入硼取代硅，产生大量空穴利于导电)。两者除了电源极性不同外，其工作原理都是相同的，下面仅介绍 NPN 硅管的电流放大原理。
对于 NPN 管，它是由 2 块 N 型半导体中间夹着一块 P 型半导体所组成，发射区与基区之间形成的 PN 结称为发射结,而集电区与基区形成的 PN 结称为集电结,三条引线分别称为发射机 e (Emitter)、基极 b (Base)和集电极 c (Collector)。
当 b 点电位高于 e 点电位零点几伏时，发射结处于正偏状态，而 C 点电位高于 b 点电位几伏时，集电结处于反偏状态，集电极电源 Ec 要高于基极电源 Eb。
在制造三极管时，有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的，同时基区做得很薄，而且，要严格控制杂质含量，这样，一旦接通电源后，由于发射结正偏，发射区的多数载流子(电子)及基区的多数载流子(空穴)很容易地越过发射结互相向对方扩散，但因前者的浓度基大于后者，所以通过发射结的电流基本上是电子流，这股电子流称为发射极电子流。
由于基区很薄,加上集电结的反偏，注入基区的电子大部分越过集电结进入集电区而形成集电极电流 Ic，只剩下很少(1-10%)的电子在基区的空穴进行复合，被复合掉的基区空穴由基极电源 Eb 重新补给，从而形成了基极电流 Ibo. 根据电流连续性原理得：Ie=Ib+Ic
三极管的电流放大作用实际上是利用基极电流的微小变化去控制集电极电流的巨大变化。
三极管是一种电流放大器件，但在实际使用中常常通过电阻将三极管的电流放大作用转变为电压放大作用。
