功率场效应晶体管的特点

1、 具有较高的开关速度。

2、 具有较宽的安全工作区而不会产生热点，并且具有正的电阻温度系数，因此适合进行并联使用。

3、 具有较高的可靠性。

4、 具有较强的过载能力。短时过载能力通常额定值的4倍。

5、 具有较高的开启电压，即是阈值电压，可达2~6V(一般在1、5V~5V之间)。当环境噪声较高时，可以选用阈值电压较高的管子，以提高抗干扰能力;反之，当噪声较低时，选用阈值电压较低的管子，以降低所需的输入驱动信号电压。给电路设计带来了极大地方便。

6、 由于它是电压控制器件，具有很高的输入阻抗，因此其驱动功率很小，对驱动电路要求较低。

功率场效应晶体管的结构

其导通时只有一种极性的载流子(多子)参与导电，是单极型晶体管。导电机理与小功率MOS管相同，但结构上有较大区别，小功率MOS管是横向导电器件，功率MOSFET大都采用垂直导电结构，又称为VMOSFET(VerticalMOSFET)，大大提高了MOSFET器件的耐压和耐电流能力。

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